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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-247 |
|---|
1200 V，8 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT，与定续流二极管联合封装到 TO247 封装中，结合沟槽栅和场终止概念，显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现高效率。
特征描述
• VCEsat 压隆，降低传导损耗
• 低开关损耗
• VCEsat 具备正温度系数，实现轻松并联开关能力
• 极软、快速恢复防并联发射极控制HE二极管
• 高稳健性和温度稳定性
• 低 EMI 排放
• 低栅极电荷
• 参数分布非常紧凑
优势
• 高效率 – 低传导和开关损耗
• 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合，支持灵活设计
• 器件高可靠性
应用领域
• 不间断电源（UPS）
• 电机控制和驱动
品牌： | Infineon |
型号： | IKW08T120 |
封装： | TO-247 |
制造商： | Infineon |
产品种类： | IGBT 晶体管 |
RoHS： | 是 |
安装风格： | Through Hole |
配置： | Single |
集电极—发射极电压 VCEO： | 1200 V |
集电极—射极饱和电压： | 1.7 V |
栅极/发射极电压： | 20 V |
在25 C的连续集电极电流： | 16 A |
Pd-功率耗散： | 70 W |
工作温度： | - 40 C + 150 C |
系列： | TRENCHSTOP IGBT |
集电极连续电流： | 16 A |
栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
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