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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-252 | 晶体管类型 | 场效应晶体管 |
|---|---|---|---|
| 批次 | 2123+ |
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。
型号： | IRLR8726TRPBF |
封装： | TO-252 |
制造商： | Infineon |
产品种类： | MOSFET |
RoHS： | 是 |
技术： | Si |
安装风格： | SMD/SMT |
通道数量： | 1 Channel |
晶体管极性： | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
Id-连续漏极电流： | 86 A |
Rds On-漏源导通电阻： | 8 mOhms |
Vgs -栅极-源极电压： | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.35 V |
Qg-栅极电荷： | 15 nC |
工作温度： | - 55 C + 175 C |
Pd-功率耗散： | 75 W |
配置： | Single |
通道模式： | Enhancement |
高度： | 2.3 mm |
长度： | 6.5 mm |
晶体管类型： | 1 N-Channel |
类型： | HEXFET Power MOSFET |
宽度： | 6.22 mm |
商标： | Infineon Technologies |
正向跨导-最小值： | 73 S |
下降时间： | 16 ns |
产品类型： | MOSFET |
上升时间： | 49 ns |
工厂包装数量： | 2000 |
子类别： | MOSFETs |
典型关闭延迟时间： | 15 ns |
典型接通延迟时间： | 12 ns |
零件号别名： | SP001573108 |
单位重量： | 530 mg |
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