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深圳瑞兆来科技有限公司
封装 | TO-263-7 |
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75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 (TO-263-7)引脚封装,它基于*的沟槽工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:是
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TO-263-7
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:75 V
Id-连续漏极电流:240 A
Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
Qg-栅极电荷:285 nC
工作温度:- 55 C + 175 C
Pd-功率耗散:375 W
配置:Single
晶体管类型:1 N-Channel
正向跨导-最小值:223 S
下降时间:91 ns
上升时间:90 ns
典型关闭延迟时间:182 ns
典型接通延迟时间:20 ns
型号:IRFS7730TRL7PP
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