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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO-263-7 |
|---|
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 (TO-263-7)引脚封装，它基于*的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握技术。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：是
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：TO-263-7
通道数量：1 Channel
晶体管极性：N-Channel
Vds-漏源极击穿电压：75 V
Id-连续漏极电流：240 A
Rds On-漏源导通电阻：2 mOhms
Vgs -栅极-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：3.7 V
Qg-栅极电荷：285 nC
工作温度：- 55 C + 175 C
Pd-功率耗散：375 W
配置：Single
晶体管类型：1 N-Channel
正向跨导-最小值：223 S
下降时间：91 ns
上升时间：90 ns
典型关闭延迟时间：182 ns
典型接通延迟时间：20 ns
型号：IRFS7730TRL7PP
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