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深圳瑞兆来科技有限公司
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| 封装 | TO263-3 | 批次 | 2202+ |
|---|
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。
特征描述
优异的开关性能
世界较低的 (R Ds(on))
极低的 Qg 和 Qgd
出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 评级
品牌： | INFINEON |
型号： | IPB027N10N3GATMA1 |
封装： | TO263-3 |
造商： | Infineon |
产品种类： | MOSFET |
RoHS： | 是 |
安装风格： | SMD/SMT |
封装 / 箱体： | PG-TO-263-3 |
通道数量： | 1 Channel |
晶体管极性： | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
Id-连续漏极电流： | 120 A |
Rds On-漏源导通电阻： | 2.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
Qg-栅极电荷： | 155 nC |
工作温度： | - 55°C +175°C |
Pd-功率耗散： | 300 W |
配置： | Single |
通道模式： | Enhancement |
高度： | 4.4 mm |
长度： | 10 mm |
系列： | OptiMOS 3 |
晶体管类型： | 1 N-Channel |
宽度： | 9.25 mm |
正向跨导 - 最小值： | 94 S |
下降时间： | 28 ns |
上升时间： | 58 ns |
典型关闭延迟时间： | 84 ns |
典型接通延迟时间： | 34 ns |
零件号别名： | IPB027N10N3 G SP000506508 IPB27N1N3GXT |
单位重量： | 2 g |
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