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GSL-450-PLD激光镀膜设备

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  • 公司名称沈阳科晶自动化设备有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地沈阳市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/3/1 11:44:08
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沈阳科晶自动化设备有限公司是由毕业于美国麻省理工学院的江晓平博士于2000年5月创建。与合肥科晶材料技术有限公司、深圳市科晶智达科技有限公司同属于科晶联盟。自SYJ-150低速金刚石切割机诞生以来,沈阳科晶便开始了以赶超国外同行、材料分析设备潮流为目标的发展历程。时至今日,已经拥有涵盖材料切割、研磨、抛光、涂膜、镀膜、混合、压轧、烧结、分析等领域以及相关耗材的上百种产品,可以满足晶体、陶瓷、玻璃、岩相、矿样、金属材料、耐火材料、复合材料、生物材料等制备分析的全套需要。  沈阳科晶立足国内市场实际情况,以提供实用的产品为己任。产品的质量、精度在向国外企业看齐的基础上,产品的价格定位却仅仅是其几分之一。的性价比不仅吸引了众多国内客户,而且令挑剔的外国客商也称赞不已,产品远销于印度、马来西亚、土耳其、波兰、突尼斯、澳大利亚等国家,并大量出口于美国。  沈阳科晶一直致力于高等院校、研究所、生产企业的科研服务,即产品定位于研究市场,主要面向广大高等院校、科研机构、实验室以及工厂的小规模生产。多年以来,已与全国众多高校、研究院所建立了良好的合作、服务关系。其中北京大学、清华大学、浙江大学、哈尔滨工业大学、东北大学等高校,金属研究所、上海硅酸盐研究所、中国科学地质与地球物理研究所等科研机构,中国航天工业集团公司、中国船舶重工集团公司、攀钢集团有限公司等企业都是长期合作的荣誉客户。  沈阳科晶为了更好地服务客户,专门设立了开放式专业实验室,配备了优秀的专业技术人员。在这里,不仅可以提供亲身的产品体验环境,而且还可得到专业人员的操作指导。开设以来,制作的样品达上千件,接待来访客户参观百余次,其中包括多次外国友人的来访。在此,沈阳科晶全体员工诚挚地欢迎您的到来,并希望您能提出宝贵的意见与建议。此外,沈阳科晶拥有优质、高效、专业的销售咨询、售后服务团队,能够为每一位客户提供采购建议与方案、完善的使用指导与售后服务。使每一位客户的需求得到满足是沈阳科晶每个员工不懈努力的目标。  沈阳科晶一路走过的历程,是为我国材料研究事业全力贡献的历程,是以实际行动将自己打造成国内材料分析设备品牌的历程,是与国外同行不断缩小差距的历程,是与广大客户相扶相持的成长历程。虽一路充满坎坷与荆棘,但坚持不懈的沈阳科晶人仍全力以赴的前行。秉承这份坚持,相信在不久的将来,沈阳科晶也将会成为国际市场上专业的、杰出的材料分析设备品牌,沈阳科晶的明天会更加灿烂辉煌。
行星球磨机
GSL-450-PLD激光镀膜设备
GSL-450-PLD激光镀膜设备 产品信息

产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,是一款实验室制备材料粉末的理想设备。

 

产品型号

GSL-450-PLD(Pulsed Laser Deposition)

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6必须有良好接地(对地电阻小于2Ω);

3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀

4、场地面积设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上

5、通风装置:需要(外排废气管道)。

主要特点

1由于激光光子能量很高,可溅射制备很多困难的镀层:如高温超导薄膜,陶瓷氧化物、氮化物薄膜,多层金属薄膜等;

2、体积小,操作简便可以非常容易的连续融化多个材料,实现多层膜制备

3、可以通过控制激光能量和脉冲数,精密的控制膜厚

4、易获得期望化学计量比的多组分薄膜,即具有良好的保成分性;

5、沉积速率高,试验周期短,衬底温度要求低,制备的薄膜均匀;

6、工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制。

技术参数

1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后);

2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa。

基片参数

1、基片尺寸:可放置φ2″基片(带挡板)

2、基片加热温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,采用抗氧化材料作加热器;

3、基片可连续回转,转速5~60转/分,电机驱动磁耦合机构控制;

4、基片与靶台之间距离30~90mm可调。

转靶参数

1、每次可以装四块靶材,靶材尺寸:φ1φ2″;
2、每块靶材可实现自转,转速5~60转/分,连续可调 
3靶通过电机控制换位,靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽,每次只有一个靶材露出溅射成膜,以避免靶材之间的交叉污染。

真空腔体

1、球型真空室尺寸Ф450mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;

2、真空腔体带RF150活开门,方便取、放样品;

3、RF100法兰2套1套紫外石英玻璃窗口用于激光器,另1套盲板红外石英玻璃窗口用于测温可选配);

4、RF100光学玻璃窗口1(用于观察)。

产品规格

整机尺寸:1800mm×1000mm×1600mm

标准配件

1

电源控制系统

1

2

真空获得机组

1

3

真空测量

1

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