我们见到“END"这个词的时候，脑海中可能会浮现出“结尾"“剧终"等印象。在半导体科学中END这个词会更接近于“边"的用法。下面主要介绍晶体管形成截止的前端工艺（Front-End）和晶体管形成后多层布线工序的后端工艺（Back-End）。前端工艺的晶体管相关的制造工艺在晶圆中进行，而后端工艺的多层布线工艺是在晶圆上形成布线结构的。前端工艺就像建筑物上的基础工程，而后端工艺相当于房屋的叠加，从某种意义上说，前端工艺有各种各样的工艺：清洗、离子注入和热处理、光刻、刻蚀、成膜、平坦化（CMP）,并由这几种工艺组合而成。前端工艺是多次重复相同的工序进行产品生产的方式，因经历了多次相同的工艺又称为循环型工艺。
产品特点：
方形基片的边缘清洗
边缘区域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自动对准边缘尺寸
液体喷嘴数量可选可增配
“边胶"的产生及改善
厚胶旋涂和方形衬底匀胶时边缘会形成较厚的光刻胶胶边即边胶，边胶是硅片边缘形成的厚度不均匀的胶层，不仅影响晶圆的外观还对接触式光刻工艺产生影响，光刻、显影等过程产生缺陷，芯片性能降低：由于边缘光刻胶的溶剂残留量高，即使在前烘后，掩膜板也会粘附，会污染掩膜板。在曝光过程中，边珠还会在光刻胶膜和掩膜板之间充当不必要的间隙，导致光刻胶曝光的图案分辨率低、尺寸误差大或显影后图案的侧壁不陡直等。
消除“边胶"的措施
除了通过自动化设备完成去边角工艺（EBR）的话，还可以通过以下措施帮助减少边胶:
圆形基底:可使用配套EBR溶剂，利用一个带有细喷嘴的洗瓶，在500 rpm左右动态去除边胶；
足够高的旋转速度(3000-4000rpm/min)达到目标膜厚的胶膜；
非常厚的光刻胶可利用较高的加速度，在短时间内获得较高的旋转速度 ，当光刻胶层已经足够干燥，但边胶仍然有足够的液体时，在旋涂工艺末端突然增加旋转速度使边胶脱离；
胶层与前烘之间的等待时间取决于抗蚀涂层的厚度和残留溶剂的含量，以防止在高前烘温度下胶层的粘度突然升高而增加边胶效应(可使用分步干燥: 室温->50°C->95°C)；
调整良好旋涂腔室保证衬底与衬底托盘之间紧密接触；
非圆形衬底: 如有可能的话，可将衬底边缘片与边缘珠一起裁切掉，或用洁净间的刷子将边胶刷洗掉。
除此之外，多次旋涂也是导致边胶的重要原因之一，这种情况下，在前次涂胶完成后，烘烤有助于防止在下次涂胶过程中光刻胶再次溶解，从而减小边胶效应。
芯片匀胶去边是指在芯片制造过程中，使用匀胶机将光刻胶均匀涂布在芯片表面后，通过去边工艺将多余的光刻胶去除，留下所需的图案。这一步骤在芯片制造中非常重要，其作用主要包括以下几点：
1、定义图案边界：匀胶去边过程可以帮助定义芯片上所需图案的边界，确保光刻胶只留在需要的区域内，从而保证后续工艺的准确性和可靠性。
2、提高图案分辨率：通过去除多余的光刻胶，可减少图案间的相互干扰，提高图案的分辨率和清晰度，有利于后续工艺的精确加工。
3、保证芯片质量：匀胶去边可以帮助去除光刻胶涂布过程中可能产生的不均匀和杂质，保证芯片表面的平整度和清洁度，有利于后续工艺步骤的顺利进行。
4、提高制程稳定性：通过匀胶去边工艺，可以减少光刻胶在芯片表面的变形和不均匀现象，提高制程的稳定性和可重复性，有利于提高芯片制造的良品率。
芯片匀胶去边的作用主要是为了定义图案边界、提高图案分辨率、保证芯片质量和提高制程稳定性，从而确保芯片制造过程的准确性和可靠性。
产品特点：
方形基片的边缘清洗
边缘区域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自动对准边缘尺寸
液体喷嘴数量可选可增配
产品特点：
方形基片的边缘清洗
边缘区域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自动对准边缘尺寸
液体喷嘴数量可选可增配
产品特点：
方形基片的边缘清洗
边缘区域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自动对准边缘尺寸
液体喷嘴数量可选可增配
产品特点：
方形基片的边缘清洗
边缘区域：1-20mm
基片厚度要求：0.5-20mm
自动对准边缘尺寸
液体喷嘴数量可选可增配
EBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizes
EBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizesEBR depth Parallelism to edge Waviness up to 20 mm max ± 0,2 mm ± 0,2 mm Automatic adaption to various substrate sizes
