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湿法腐蚀机

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参  考  价:2000000
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号

    M+100-E

  • 品牌

    其他品牌

  • 厂商性质

    生产商

  • 所在地

    西安市

规格

200 2000000元 1台可售

更新时间:2023-12-28 14:27:15浏览次数:125次

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产品简介
价格 面仪    

型号:M+-E150

主要用途:
  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗
型号:M+-E150

主要用途:
  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑

详细介绍

型号:M+-E150

主要用途:


主要用途:

  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗

型号:M+-E150


主要用途:

  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑


主要用途:

  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗

型号:M+-E150


主要用途:

  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑


  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗

型号:M+-E150

主要用途:
  用于IC生产及元器件生产中晶片的湿法刻蚀、清洗工艺。其作用是去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石、塑料等附件器皿的污染物。广泛用于抛光片、扩散前、CMP后、氧化前及光刻后等关键工艺的清洗






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