采真空接触曝光图形解析可达1um,
近接曝光依光罩与晶圆间隙可达3~5um。
德扬光电有限公司
產品簡介: 双面曝光曝光机采用上及下两组曝光源,欲曝光机基板夹于上下光罩之间同时曝基板上下两面,对双面制程之基板之产能, 能两倍于单面曝光制程。
双面曝光曝光机采用上及下两组曝光源,
欲曝光机基板夹于上下光罩之间同时曝基板上下两面,
对双面制程之基板之产能, 能两倍于单面曝光制程。
紫外光源功率350W or 500W
曝光光源尺寸:4″,5″,6″ , 8″
波长: UV(350W时365nm强度约16~20mW/cm2)
均匀度: +-5%电源供应器:定功率控制
快门控制计时器:0.1~999.9秒
采用可变倍率镜头影像系统,总影像倍率100X-600X。
小型高解析黑白CCD摄影机,19"LCD萤幕LED同轴光源打光,
影像解析度可达1um镜头位置调整,可前后左右上下微调约20mm,
可选择使用一组或两组影像系统,选配快速扫描台,可快速移动镜头,前后左右移动约10cm。
光罩真空吸盘: 4",5" 或 6"下吸式
晶圆真空吸盘: 破片2",3",4" 或5"
具光罩与晶圆平行面校正功能,
晶圆真空吸盘可前后左右调整约10mm,调整灵敏度1um
旋转调整约5度,调整灵敏度0.001度
Z轴可调整约3mm, 调整灵敏度1um
Z轴具千分表可显示光罩与晶圆间距,Z轴可设定对准与曝光两种间隙,可调整接触真空吸附力大小
曝光模式有Vacuum contact,Soft contact,Proximity 人工置放晶片与调整晶片位置,取放晶圆时光罩吸盘以手开启 。
人工置放晶片与调整晶片位置,取放晶圆时光罩吸盘以手开启。
采全手动拨钮操作系统,以手动控制面板操作
操作项目包括光罩与晶圆之更换,光罩与晶圆间隙之切换
光罩与晶圆平行面校正,真空接触之切换与真空值调整
Z轴的归零,镜头与曝光源左右交替移至对准台上方,并有安全互锁功能。
桌上型大底板机座,具调整脚。
采真空接触曝光图形解析可达1um,
近接曝光依光罩与晶圆间隙可达3~5um。
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